Память по 40-нанометровой технологии от Samsung

12.08.2015

Южнокорейская компания Samsung сообщила о том, что провела тестирование первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40-нанометровой технологии. Компания Samsung отмечает что использование 40-нанометровой технологии вместо 50-нанометровой, позволяет снизить напряжение питания, а следовательно и энергопотребление. По прогнозам производителей энергопотребление, должно уменьшиться, примерно на 30%.

Также производители заявляют, что более точное изготовление узлов микросхем DRAM увеличит производительность примерно на 60%.

Ожидается, что переход на 40-нанометровый процесс ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно вдвое и составит всего 1 год. К концу 2009 г. компания планирует применить 40-нанометров  в массовом производстве устройств DDR3 2Gb.

Компания полагает, что внедрение 40-нанометрового процесса будет серьезным шагом на пути к разработке компонентов DRAM нового поколения, DDR4.

Источник Samsung.