Samsung начала серийный выпуск памяти GDDR5

Южно-Корейская компания Samsung начала серийный выпуск памяти GDDR5 на основе 50 нм техпроцесса.

Память GDDR5 поддерживает максимальную скорость передачи данных 7,0 гигабит в секунду, что делает трехмерную графику более реалистичной. Максимальная полоса пропускания 28 гигабайт/сек. - это больше чем в два раза превышает показатели GDDR4 (12,8 Гигабайт/сек.). Увеличение скорости у чипов GDDR5 достигается благодаря применению независимого задающего генератора, который не требует синхронизации операций чтения-записи с тактовыми импульсами. В GDDR4 для обработки данных и графики используется технология синхронизации стробирующих и тактовых импульсов.

Использование технологического процесса 50-нанометров, по оценкам Samsung, позволит повысить эффективность производства на 100% по сравнению с 60-нм техпроцессом. Кроме того, питающее напряжение памяти GDDR5 (1,35 В) в отличие от GDDR4 (1,8 В), позволяет снизить потребление электроэнергии на 20%.

Новые чипы предлагаются в виде модулей 32 Мбит x32, также возможна конфигурация 64 Мбит х32. Компания Samsung ожидает, что новая память GDDR5 на рынке видеопамяти в 2009 г. превысит 20%. Представители компании сообщают, что намерены перевести производство графической памяти на технологический процесс 50-нм до конца 2009 года.

По словам Герда Шаусса, директора по маркетингу запоминающих устройств компании Samsung Semiconductor Europe, массовый выпуск памяти GDDR5 в начале 2009 года сможет удовлетворить растущий спрос на высокопроизводительные устройства графической памяти для персональных компьютеров и игровых консолей. Высокие показатели GDDR5 обеспечат поддержку более мощных игровых возможностей на всех платформах.

Источник Samsung

Просмотров: 777     добавлена: 2009-03-31