|
Южнокорейская компания Samsung сообщила о том,
что провела тестирование первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40-нанометровой технологии.
Компания Samsung отмечает, что использование 40-нанометровой технологии вместо 50-нанометровой, позволяет снизить напряжение питания, следовательно и энергопотребление. По прогнозам производителей энергопотребление, должно уменьшиться, примерно на 30%.
Также производители заявляют, что более точное изготовление узлов микросхем DRAM увеличит производительность примерно на 60%.
Ожидается, что переход на 40-нанометровый процесс ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно вдвое и составит всего 1 год. К концу 2009 г. компания планирует применить 40-нанометров в массовом производстве устройств DDR3 2Gb.
Компания полагает, что внедрение 40-нанометрового процесса будет серьезным шагом на пути к разработке компонентов DRAM нового поколения, DDR4.
Источник Samsung.
Просмотров: 835 добавлена: 2009-03-16
|
