Новости: Оперативная память

Память по 40-нанометровой технологии от Samsung

Добавлена: 2009-03-16

Южнокорейская компания Samsung сообщила о том, что провела тестирование первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40-нанометровой технологии. Компания Samsung отмечает что использование 40-нанометровой технологии вместо 50-нанометровой, позволяет снизить напряжение питания, а следовательно и энергопотребление. По прогнозам производителей энергопотребление, должно уменьшиться, примерно на 30%.

подробнее >>>

3-канальная оперативная память для Intel Core i7

Добавлена: 2009-01-13

Трехканальный комплект модулей оперативной памяти DDR3-1333 для новейшего процессора Intel Core i7 и материнских плат с чипсетом Intel X58 Express.

подробнее >>>