Оперативная память

• 

  12.08.2015

  Память по 40-нанометровой технологии от Samsung

  Южнокорейская компания Samsung сообщила о том, что провела тестирование первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40-нанометровой технологии. Компания Samsung отмечает что использование 40-нанометровой технологии вместо 50-нанометровой, позволяет снизить напряжение питания, а следовательно и энергопотребление. По прогнозам производителей энергопотребление, должно уменьшиться, примерно на 30%.

  Подробнее
• 

  12.08.2015

  3-канальная оперативная память для Intel Core i7

  Трехканальный комплект модулей оперативной памяти DDR3-1333 для новейшего процессора Intel Core i7 и материнских плат с чипсетом Intel X58 Express представила компания Transcend.

  Подробнее